我国科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展

从华中科技大学了解到,该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展,研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶


TrendForce:客户手中库存持续攀高,第四季存储器价格将转跌 3-8%

根据TrendForce集邦咨询发布的最新报告,第三季生产旺季后,DRAM的供过于求比例(以下称:sufficiency…