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今年高通可谓是收获满满,和魅族的专利纠纷和解之后,基本上就算是完成了专利战役。同时高通还拿下了OPPO、vivo这两家出货大户,接下去要做的就是,推出新的处理器,继续引领市场旗舰机的出货量,给予联发科以更大的竞争压力。

骁龙Snapdragon 835之前已经有所透露,但到了2017年必须上市。为了再度提升技术量级,高通将在这个芯片中采用 QuickCharge 4.0 技术。这个技术能够充电五分钟,提供 5 小时续航力、 15 分钟内将设备的电量充到 50%,并且内置了INOV(智能协商最佳电压)技术,比起现在的产品有更大幅度的提升。比起Quick Charge 3.0,其充电速度提升20%,充电效率提升30%。

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另外,通过采用10纳米FinFET工艺,相对14nm工艺,其将在缩小30%的芯片尺寸的基础上,实现性能27%的提升以及40%的功耗降低。骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。

没有意外的话,三星Galaxy S8将会使用骁龙835,并以最高配置上市抢回电池门失去的市场。

确切的性能和参数将会在CES 2017上揭晓,让我们拭目以待。