据媒体报道，英伟达已向台积电提出制造3D DRAM的需求，台积电开始拟订生产方案。台积电发言人回应称，公司将继续专注于芯片代工，为全球逻辑芯片行业提供制造技术和产能。
台积电目前已在先进封装环节与存储芯片厂商合作，把后者生产的存储芯片与逻辑芯片集成到同一个封装里。报道所指的方案则涉及更上游的环节，由台积电开发工艺、制造存储芯片本身。据悉，相关工作由台积电负责先进封装技术发展的副总经理徐国晋牵头。
传统DRAM的存储单元主要在同一平面排布，3D DRAM则通过垂直堆叠存储单元，在相同面积内容纳更多数据。随着AI硬件对内存容量的需求增长，美光、三星和SK海力士也在研究这一方向。制造过程中需要控制多层结构带来的缺陷，同时维持可量产的良率。
