江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash发布

继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，为公司存储产品组合带来更多可能性。

江波龙近年来在存储芯片的自主研发投入了大量的精力和资源。公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合公司自主开发的测试平台，实现了高效的生产测试。目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力。

除了在NAND Flash芯片领域持续发力，江波龙在DRAM芯片方面也进行了深入研究与探索。2023年公司就已推出复合式存储nMCP，还成功构建完善的ATE测试平台和SLT系统级测试平台。从芯片设计、产品化到生产测试，江波龙已构建起存储芯片完整的垂直整合能力。借助于元成苏州、智忆巴西（Zilia）封测制造能力，更进一步增强了在存储芯片领域的竞争力。（美通社，2024年2月1日深圳）