据美通社消息，江波龙电子嵌入式存储品牌FORESEE推出了3款国产化内存，分别为DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用长鑫存储的颗粒，这标志着中国存储在质量上开始参与市场竞争。

FORESEE国产化内存的核心DRAM率先采用长鑫存储的10nm级最新版本8Gb颗粒，该颗粒已通过江波龙电子EVT完整的颗粒级测试。

在主频方面，FORESEE国产化内存的频率为2666MHz，综合对比已达到国际一线水平。在设计架构上，均采用8Gb颗粒，速度和稳定性均有了很大的提升。

2019年9月，长鑫存储发布与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4。目前，长鑫存储正使用其 10G1 技术来制造8Gb DDR4 存储器芯片，经过多次迭代和优化，其工艺已进入国际化主流水平，其技术突破和自主制造已达到行业一流。