新思科技3DIC Compiler支持三星实现针对HPC应用的高带宽存储先进多裸晶芯片封装流片

据美通社消息，新思科技（Synopsys，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其3DIC Compiler解决方案协助三星在一次封装中完成具有8个高带宽存储器（HBM）的复杂5纳米SoC的设计、实现和流片。借助3DIC Compiler平台，三星基于硅中介层技术的多裸晶芯片集成（MDI™）能够扩展用于高性能计算（HPC）的全新SoC设计的复杂性和容量。与3DIC Compiler的合作可提高三星的设计效率，将完成设计所需时间从数月缩短至数小时。

为应对HPC等加速发展市场中的关键设计挑战，先进封装变得越来越重要。HPC正在推动越来越多的HBM集成到封装中，以实现更高的带宽和更快的访问。每个HBM堆栈的集成都需要成千上万的额外die-to-die互连，这增加了封装中多裸晶SoC的设计复杂性，并且从早期探索到设计签核都需要进行大量的分析。

新思科技的3DIC Compiler建基于统一的平台，可利用感知信号完整性的自动布线和屏蔽功能来提高协同设计效率。3DIC Compiler为设计自动化提供了一套全面的功能，包括凸块放置、高密度布线和屏蔽。为了确保设计的稳定性，3DIC Compiler还使用三星的硅中介层技术，提供Ansys® RedHawk™系列芯片封装协同仿真工具的in-design支持，以全面分析信号和电源完整性、以及封装中大量HBM堆栈的热学可靠性。