从华中科技大学了解到,该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展,研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件,与现有商业闪存器件性能对比,其擦写速度、循环寿命等关键性能均有提升,为发展高性能、高密度大容量存储器件提供了新的思路。 来源:财联社 存储器 晶体管 你可能会喜欢 比亚迪与小桔充电、新电途共建15000座兆瓦闪充桩2025/06/01 23:09 问界M9 2025款大五座零重力座椅版开启交付2025/06/01 09:29 吉利将发射“千里浩瀚”卫星2025/05/31 23:14 小改款,smart精灵#1经典焕新款亮相2025/05/31 21:45