据台媒报道,台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报,携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算架构,功耗仅其他类似技术的1%。台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线,并手握存储器、车用等市场订单,抢占MRAM商机。 来源:财联社 台积电 你可能会喜欢 五一”人从众”:3亿人出门撒钱实录2025/05/06 17:55 亚航母公司考虑在港双重上市2025/05/06 16:59 微软Skype正式停止运营2025/05/06 15:02 前索尼互娱总裁吉田修平:任天堂 Switch 2 游戏涨价无法避免2025/05/06 14:51