据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。

来源：环球时报

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